IXTF6N200P3 価格設定（USD） [4331個在庫]
- 1 pcs$10.00265
- 品番:
- IXTF6N200P3
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTF6N200P3 electronic components. IXTF6N200P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTF6N200P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTF6N200P3 製品の属性
品番 :
IXTF6N200P3
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH
シリーズ :
Polar™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
2000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
143nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
215W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS i4-PAC™
パッケージ/ケース :
ISOPLUSi5-Pak™
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