ON Semiconductor - FDPF12N60NZ

KEY Part #: K6397027

FDPF12N60NZ 価格設定(USD) [36107個在庫]

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品番:
FDPF12N60NZ
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDPF12N60NZ 製品の属性

品番 : FDPF12N60NZ
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
シリーズ : UniFET-II™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1676pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 39W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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