Infineon Technologies - IPL65R190E6AUMA1

KEY Part #: K6401846

IPL65R190E6AUMA1 価格設定(USD) [2909個在庫]

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品番:
IPL65R190E6AUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 4VSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL65R190E6AUMA1 製品の属性

品番 : IPL65R190E6AUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 4VSON
シリーズ : CoolMOS™ E6
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1620pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 151W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-VSON-4
パッケージ/ケース : 4-PowerTSFN

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