STMicroelectronics - STV160NF02LAT4

KEY Part #: K6414304

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    品番:
    STV160NF02LAT4
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STV160NF02LAT4 製品の属性

    品番 : STV160NF02LAT4
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
    シリーズ : STripFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 160A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.7 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 175nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±15V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5500pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 210W (Tc)
    動作温度 : 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 10-PowerSO
    パッケージ/ケース : PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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