IRFB18N50KPBF 価格設定（USD） [17545個在庫]
- 1 pcs$2.34893
- 品番:
- IRFB18N50KPBF
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFB18N50KPBF electronic components. IRFB18N50KPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB18N50KPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFB18N50KPBF 製品の属性
品番 :
IRFB18N50KPBF
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
290 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2830pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
220W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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