STP34NM60N 価格設定（USD） [11335個在庫]
- 1 pcs$3.63577
- 10 pcs$3.27220
- 100 pcs$2.69047
- 500 pcs$2.25418
- 1,000 pcs$1.96332
- 品番:
- STP34NM60N
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 29A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP34NM60N electronic components. STP34NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP34NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP34NM60N 製品の属性
品番 :
STP34NM60N
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 29A TO-220
シリーズ :
MDmesh™ II
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
105 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2722pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- 2N7002PM,315
- PHD34NQ10T,118
- NVMFS6B75NLWFT3G
- SFT1341-E
- IXFE48N50QD3
- GP1M008A080H
- GP1M003A040CG
- NTTFS4C56NTAG
- SI8405DB-T1-E3
- PHK04P02T,518
- FDMS2504SDC
- IRF6797MTR1PBF
- IRFS4010PBF
- NTD110N02R-001G
- BSS119 E7796
- HUF75332S3ST
- FQU5N50TU
- FDR840P
- IRLR3714TRLPBF
- IRLR3802PBF
- APT18F60S
- IRF540ZS
- SI7856ADP-T1-E3
- IRL1404ZS
- NTR4501NT3
- FQD9N08TM
- IRFR3711ZTRL
- IRFI1310N
- IRFR13N20DTRL
- IRFBC20STRL
- IRF7521D1
- IRFIBE20G
- PH7030L,115
- STT3PF20V
- IXFH86N30T
- FCH125N60E
- SQM50N04-4M0L_GE3
- IXTP2N80P
- TPC8067-H,LQ(S
- SQ2398ES-T1_GE3