TSM4NB60CH C5G 価格設定（USD） [115457個在庫]
- 1 pcs$0.32036
- 品番:
- TSM4NB60CH C5G
- 詳細な説明:
- 600V N CHANNEL MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH C5G electronic components. TSM4NB60CH C5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM4NB60CH C5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM4NB60CH C5G 製品の属性
品番 :
TSM4NB60CH C5G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
600V N CHANNEL MOSFET
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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