Infineon Technologies - IRL8114PBF

KEY Part #: K6418684

IRL8114PBF 価格設定(USD) [73223個在庫]

  • 1 pcs$0.53399
  • 1,000 pcs$0.48815

品番:
IRL8114PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRL8114PBF electronic components. IRL8114PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL8114PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL8114PBF 製品の属性

品番 : IRL8114PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.25V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 29nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2660pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 115W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.