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- 品番:
- IXTA200N085T7
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTA200N085T7 electronic components. IXTA200N085T7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA200N085T7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA200N085T7 製品の属性
品番 :
IXTA200N085T7
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7
シリーズ :
TrenchMV™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
85V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
480W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263-7 (IXTA..7)
パッケージ/ケース :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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