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Microsemi Corporation - APT84M50B2

KEY Part #: K6413322

APT84M50B2 価格設定（USD） [13140個在庫]

  • 30 pcs$8.49152
品番:
APT84M50B2
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT84M50B2 electronic components. APT84M50B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT84M50B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT84M50B2 製品の属性

品番 : APT84M50B2
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 84A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 340nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 13500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1135W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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