[12672個在庫]
- 品番:
- IRFSL31N20D
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 31A TO-262.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFSL31N20D electronic components. IRFSL31N20D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL31N20D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFSL31N20D 製品の属性
品番 :
IRFSL31N20D
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
31A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2370pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 200W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-262
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO4407A_102
- SPP08N80C3XK
- IRFS7734PBF
- SUD50N06-07L-E3
- AO4310
- SPD50N03S207GBTMA1
- 2SK3816-DL-E
- IRF9321PBF
- IRLU8726PBF
- BSL802SNL6327HTSA1
- IRF7702TRPBF
- IRF6722MTR1PBF
- AO4474
- IRFR3504TRRPBF
- IPW60R045CPAFKSA1
- IXTA200N075T
- NTD3055-094G
- SPP80N06S2L-06
- IPP26CN10NGHKSA1
- BUZ32
- BUK9515-100A,127
- SPD07N60S5T
- ISL9N302AP3
- FQB3P20TM
- FDC3616N
- FDC697P_F077
- IRL3803SPBF
- IXFH35N30Q
- 64-0055PBF
- IRL3803STRR
- STS9P2UH7
- IPA60R125P6XKSA1
- IPP024N06N3GXKSA1
- IPP65R190C6XKSA1
- PSMN1R7-60BS,118
- FQP6N70
- IPS65R600E6AKMA1
- NVMFS5C645NLWFAFT3G
- BSO040N03MSGXUMA1
- BSO080P03NS3EGXUMA1