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- 品番:
- IRLR3303TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR3303TR electronic components. IRLR3303TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3303TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR3303TR 製品の属性
品番 :
IRLR3303TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
31 mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
870pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
68W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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