説明 :
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
GaNFET (Gallium Nitride)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1.7A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 600µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.73nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
75pF @ 50V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)