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Microsemi Corporation - APT6017B2LLG

KEY Part #: K6408954

[450個在庫]

    品番:
    APT6017B2LLG
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APT6017B2LLG electronic components. APT6017B2LLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT6017B2LLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT6017B2LLG 製品の属性

    品番 : APT6017B2LLG
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
    シリーズ : POWER MOS 7®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 35A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 170 mOhm @ 17.5A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 100nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4500pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 500W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
    パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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