NVMFS5C670NLWFAFT3G 価格設定（USD） [204359個在庫]
- 1 pcs$0.18099
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS5C670NLWFAFT3G electronic components. NVMFS5C670NLWFAFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C670NLWFAFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS5C670NLWFAFT3G 製品の属性
品番 :
NVMFS5C670NLWFAFT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A (Ta), 71A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 53µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
61W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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