Infineon Technologies - IPI80P03P405AKSA1

KEY Part #: K6401852

IPI80P03P405AKSA1 価格設定(USD) [2906個在庫]

  • 500 pcs$0.51647

品番:
IPI80P03P405AKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET P-CH TO262-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPI80P03P405AKSA1 electronic components. IPI80P03P405AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI80P03P405AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80P03P405AKSA1 製品の属性

品番 : IPI80P03P405AKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET P-CH TO262-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 253µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 137W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

あなたも興味があるかもしれません
  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.

  • PMN27XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.