Diodes Incorporated - DMN3025LSS-13

KEY Part #: K6403374

DMN3025LSS-13 価格設定(USD) [628883個在庫]

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品番:
DMN3025LSS-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3025LSS-13 製品の属性

品番 : DMN3025LSS-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13.2nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 641pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.4W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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