メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
6.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
29 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
26.1nC @ 8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1357.4pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
X1-DFN1616-6 (Type E)