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ON Semiconductor - FDN86246

KEY Part #: K6404827

FDN86246 価格設定（USD） [233568個在庫]

  • 1 pcs$0.15915
  • 3,000 pcs$0.15836
品番:
FDN86246
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDN86246 electronic components. FDN86246 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN86246, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN86246 製品の属性

品番 : FDN86246
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 261 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 225pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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