Nexperia USA Inc. - PMZ200UNEYL

KEY Part #: K6418255

PMZ200UNEYL 価格設定(USD) [1154584個在庫]

  • 1 pcs$0.03204
  • 10,000 pcs$0.02805

品番:
PMZ200UNEYL
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V SOT883. ESD Suppressors / TVS Diodes 30V N-Channel Trench MOSFET
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMZ200UNEYL electronic components. PMZ200UNEYL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMZ200UNEYL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZ200UNEYL 製品の属性

品番 : PMZ200UNEYL
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 30V SOT883
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 89pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DFN1006-3
パッケージ/ケース : SC-101, SOT-883

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • IRFIZ34NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP.

  • TK7A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.