Rohm Semiconductor - SCT3060ALGC11

KEY Part #: K6401555

SCT3060ALGC11 価格設定(USD) [7932個在庫]

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品番:
SCT3060ALGC11
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET NCH 650V 39A TO247N.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT3060ALGC11 製品の属性

品番 : SCT3060ALGC11
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET NCH 650V 39A TO247N
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 39A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 18V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 78 mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.6V @ 6.67mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 58nC @ 18V
Vgs(最大) : +22V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 852pF @ 500V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 165W (Tc)
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247N
パッケージ/ケース : TO-247-3

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