IAUS165N08S5N029ATMA1 価格設定（USD） [42793個在庫]
- 1 pcs$0.91372
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IAUS165N08S5N029ATMA1 electronic components. IAUS165N08S5N029ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUS165N08S5N029ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IAUS165N08S5N029ATMA1 製品の属性
品番 :
IAUS165N08S5N029ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
165A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.8V @ 108µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6370pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
167W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-HSOG-8-1
パッケージ/ケース :
8-PowerSMD, Gull Wing
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