IAUS165N08S5N029ATMA1 価格設定（USD） [42793個在庫]
- 1 pcs$0.91372
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IAUS165N08S5N029ATMA1 electronic components. IAUS165N08S5N029ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUS165N08S5N029ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IAUS165N08S5N029ATMA1 製品の属性
品番 :
IAUS165N08S5N029ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
165A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.8V @ 108µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6370pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
167W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-HSOG-8-1
パッケージ/ケース :
8-PowerSMD, Gull Wing
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