DMN3730UFB4-7 価格設定（USD） [490925個在庫]
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- 品番:
- DMN3730UFB4-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 750MA DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7 electronic components. DMN3730UFB4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3730UFB4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3730UFB4-7 製品の属性
品番 :
DMN3730UFB4-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
750mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.6nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
64.3pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
470mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース :
3-XFDFN
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