Infineon Technologies - IPB60R040C7ATMA1

KEY Part #: K6416290

IPB60R040C7ATMA1 価格設定(USD) [12957個在庫]

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品番:
IPB60R040C7ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R040C7ATMA1 製品の属性

品番 : IPB60R040C7ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
シリーズ : CoolMOS™ C7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1.24mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 107nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4340pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 227W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3
パッケージ/ケース : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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