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Microsemi Corporation - APT31M100B2

KEY Part #: K6408975

APT31M100B2 価格設定（USD） [441個在庫]

  • 30 pcs$8.28967
品番:
APT31M100B2
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT31M100B2 electronic components. APT31M100B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT31M100B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT31M100B2 製品の属性

品番 : APT31M100B2
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 380 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 8500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1040W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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