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ON Semiconductor - FCPF260N60E

KEY Part #: K6392602

FCPF260N60E 価格設定（USD） [30264個在庫]

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  • 10 pcs$0.93654
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  • 500 pcs$0.58537
  • 1,000 pcs$0.48501
品番:
FCPF260N60E
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N CH 600V 15A TO-220F.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCPF260N60E electronic components. FCPF260N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF260N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF260N60E 製品の属性

品番 : FCPF260N60E
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
シリーズ : SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 15A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 260 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 36W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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