Microsemi Corporation - APTMC120AM08CD3AG

KEY Part #: K6522102

[76個在庫]


    品番:
    APTMC120AM08CD3AG
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APTMC120AM08CD3AG electronic components. APTMC120AM08CD3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC120AM08CD3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTMC120AM08CD3AG 製品の属性

    品番 : APTMC120AM08CD3AG
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET機能 : Silicon Carbide (SiC)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V (1.2kV)
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 250A (Tc)
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 200A, 20V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 10mA (Typ)
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 490nC @ 20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9500pF @ 1000V
    パワー-最大 : 1100W
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : D-3 Module
    サプライヤーデバイスパッケージ : D3