Vishay Siliconix - SIE822DF-T1-E3

KEY Part #: K6408567

SIE822DF-T1-E3 価格設定(USD) [583個在庫]

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品番:
SIE822DF-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE822DF-T1-E3 製品の属性

品番 : SIE822DF-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4200pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 5.2W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 10-PolarPAK® (S)
パッケージ/ケース : 10-PolarPAK® (S)

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