Microchip Technology - TN2504N8-G

KEY Part #: K6402018

TN2504N8-G 価格設定(USD) [116405個在庫]

  • 1 pcs$0.32553
  • 2,000 pcs$0.32391

品番:
TN2504N8-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology TN2504N8-G electronic components. TN2504N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN2504N8-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN2504N8-G 製品の属性

品番 : TN2504N8-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 890mA (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.6V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 125pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.6W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-243AA (SOT-89)
パッケージ/ケース : TO-243AA
あなたも興味があるかもしれません
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.