Diodes Incorporated - ZXMP10A18K

KEY Part #: K6413485

[13083個在庫]


    品番:
    ZXMP10A18K
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMP10A18K electronic components. ZXMP10A18K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMP10A18K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMP10A18K 製品の属性

    品番 : ZXMP10A18K
    メーカー : Diodes Incorporated
    説明 : MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.8A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 150 mOhm @ 2.8A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 26.9nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1055pF @ 50V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2.17W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252-3
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • RFD8P05SM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA.

    • RFD3055LESM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • RFD16N05LSM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.

    • RFD16N05SM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.

    • RFD15P05SM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 15A TO-252AA.