STMicroelectronics - STD3NK80Z-1

KEY Part #: K6419590

STD3NK80Z-1 価格設定(USD) [119955個在庫]

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品番:
STD3NK80Z-1
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD3NK80Z-1 製品の属性

品番 : STD3NK80Z-1
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
シリーズ : SuperMESH™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 485pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 70W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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