Infineon Technologies - BSC026NE2LS5ATMA1

KEY Part #: K6409560

BSC026NE2LS5ATMA1 価格設定(USD) [181088個在庫]

  • 1 pcs$0.20425
  • 5,000 pcs$0.18742

品番:
BSC026NE2LS5ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSC026NE2LS5ATMA1 electronic components. BSC026NE2LS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC026NE2LS5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC026NE2LS5ATMA1 製品の属性

品番 : BSC026NE2LS5ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Ta), 82A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1100pF @ 12V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 29W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.