メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.7V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
120pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23F
パッケージ/ケース :
SOT-23-3 Flat Leads