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ON Semiconductor - NDF06N60ZH

KEY Part #: K6404766

NDF06N60ZH 価格設定（USD） [1898個在庫]

  • 1,000 pcs$0.19701
品番:
NDF06N60ZH
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NDF06N60ZH electronic components. NDF06N60ZH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDF06N60ZH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDF06N60ZH 製品の属性

品番 : NDF06N60ZH
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1107pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 35W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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