Infineon Technologies - IPSA70R750P7SAKMA1

KEY Part #: K6401965

IPSA70R750P7SAKMA1 価格設定(USD) [112675個在庫]

  • 1 pcs$0.32826

品番:
IPSA70R750P7SAKMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPSA70R750P7SAKMA1 electronic components. IPSA70R750P7SAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPSA70R750P7SAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R750P7SAKMA1 製品の属性

品番 : IPSA70R750P7SAKMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 750 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 70µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.3nC @ 400V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 306pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 34.7W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO251-3
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

あなたも興味があるかもしれません
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • BS270-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • BS170-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR7807ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 43A DPAK.