IRLR7807ZTRPBF 価格設定（USD） [211994個在庫]
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- 品番:
- IRLR7807ZTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR7807ZTRPBF electronic components. IRLR7807ZTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR7807ZTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR7807ZTRPBF 製品の属性
品番 :
IRLR7807ZTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
43A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.25V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
780pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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