メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.5V @ 80µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
10nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
330pF @ 400V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223