BUZ31 H3045A 価格設定（USD） [95885個在庫]
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- 品番:
- BUZ31 H3045A
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BUZ31 H3045A electronic components. BUZ31 H3045A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUZ31 H3045A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BUZ31 H3045A 製品の属性
品番 :
BUZ31 H3045A
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
200 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1120pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
95W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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