IXYS - IXTP1R4N120P

KEY Part #: K6394534

IXTP1R4N120P 価格設定(USD) [30561個在庫]

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品番:
IXTP1R4N120P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1R4N120P 製品の属性

品番 : IXTP1R4N120P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
シリーズ : Polar™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 24.8nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 666pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 86W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3