メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
9.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
710pF @ 10V
パッケージ/ケース :
6-SMD, Flat Leads