Infineon Technologies - IRFS3307ZPBF

KEY Part #: K6413378

IRFS3307ZPBF 価格設定(USD) [8412個在庫]

  • 1 pcs$1.30447
  • 10 pcs$1.17843
  • 100 pcs$0.89841
  • 500 pcs$0.69876
  • 1,000 pcs$0.57898

品番:
IRFS3307ZPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFS3307ZPBF electronic components. IRFS3307ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS3307ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3307ZPBF 製品の属性

品番 : IRFS3307ZPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4750pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 230W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5802TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • 2N7000RLRMG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • BTS282Z E3180A

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • IRLR8113TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRLR8113

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRLR7833TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.