DMT6005LCT 価格設定（USD） [57636個在庫]
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- 50 pcs$0.63242
- 品番:
- DMT6005LCT
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET NCH 60V 100A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT6005LCT electronic components. DMT6005LCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6005LCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT6005LCT 製品の属性
品番 :
DMT6005LCT
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
47.1nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2962pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.3W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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