SUP85N03-3M6P-GE3 価格設定（USD） [2767個在庫]
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- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SUP85N03-3M6P-GE3 electronic components. SUP85N03-3M6P-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP85N03-3M6P-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUP85N03-3M6P-GE3 製品の属性
品番 :
SUP85N03-3M6P-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
85A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.6 mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3535pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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