IXTP06N120P 価格設定（USD） [34636個在庫]
- 1 pcs$1.31542
- 50 pcs$1.30888
- 品番:
- IXTP06N120P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTP06N120P electronic components. IXTP06N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP06N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP06N120P 製品の属性
品番 :
IXTP06N120P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
シリーズ :
PolarVHV™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
600mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
32 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
270pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
42W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- DMTH10H025LK3-13
- PSMN8R9-100BSEJ
- AO6409_DELTA
- TSM6N60CH C5G
- IXFX80N15Q
- 5LN01SP-AC
- NTMFS4C53NT3G
- FDB8160-F085
- SI1307DL-T1-E3
- AOI508
- FCI25N60N
- RJK0856DPB-00#J5
- SI8405DB-T1-E3
- SI5475DC-T1-E3
- IXTC13N50
- IPI80CN10N G
- NTB30N20T4G
- SI1410EDH-T1-E3
- SI1400DL-T1-E3
- HUFA75333P3
- 2SK2504TL
- AOTF474
- IRL3715Z
- MTD5P06VT4
- SPP08N50C3XKSA1
- SPI80N06S-08
- FQB4N20LTM
- IRF3711ZL
- IRF7523D1
- IRFP440
- IXTQ120N15P
- AUIRF1324STRL7P
- BSB015N04NX3GXUMA1
- SIDR622DP-T1-GE3
- SQJ412EP-T1_GE3
- IXTP5N60P
- IPI45N06S4L08AKSA3
- IRFZ34NSTRRPBF
- BSC067N06LS3GATMA1
- AO4423