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ON Semiconductor - FCH165N60E

KEY Part #: K6398688

FCH165N60E 価格設定（USD） [22265個在庫]

  • 1 pcs$1.93061
  • 450 pcs$1.92100
品番:
FCH165N60E
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCH165N60E electronic components. FCH165N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCH165N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH165N60E 製品の属性

品番 : FCH165N60E
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 23A TO247
シリーズ : SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 23A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 165 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2434pF @ 380V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 227W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
パッケージ/ケース : TO-247-3

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