現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. FDMS4D0N12C

ON Semiconductor - FDMS4D0N12C

KEY Part #: K6397356

FDMS4D0N12C 価格設定（USD） [29645個在庫]

  • 1 pcs$1.39026
品番:
FDMS4D0N12C
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
PTNG 120V N-FET PQFN56.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMS4D0N12C electronic components. FDMS4D0N12C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS4D0N12C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS4D0N12C 製品の属性

品番 : FDMS4D0N12C
メーカー : ON Semiconductor
説明 : PTNG 120V N-FET PQFN56
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 18.5A (Ta), 114A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 370A
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 6460pF @ 60V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.7W (Ta), 106W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

最新ニュース

ON Semiconductor NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET
ON Semiconductor NCL2801LED1GEVB Evaluation Board
ON Semiconductor NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor NCP13992 Evaluation Board
ON Semiconductor NCP171 LDO Regulator
ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
ON Semiconductor NCS2191x Precision Op Amplifiers
ON Semiconductor NCP1095 High Power PoE-PD Controller
ON Semiconductor NVTFS010N10MCL 100V 53A Automotive Power MOSFET
ON Semiconductor FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor FPF2283CUCX OVP Power Switch IC
ON Semiconductor LV8824QAGEVK Evaluation Kit
あなたも興味があるかもしれません
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.

ホットパーツ