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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America NP80N04PLG-E1B-AY electronic components. NP80N04PLG-E1B-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP80N04PLG-E1B-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NP80N04PLG-E1B-AY 製品の属性
品番 :
NP80N04PLG-E1B-AY
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
135nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta), 115W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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