IRF200P223 価格設定（USD） [8674個在庫]
- 1 pcs$4.75075
- 400 pcs$3.10154
- 品番:
- IRF200P223
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF200P223 electronic components. IRF200P223 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF200P223, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF200P223 製品の属性
品番 :
IRF200P223
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
シリーズ :
StrongIRFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 270µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
102nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5094pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
313W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AC
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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