Microsemi Corporation - APT24M120B2

KEY Part #: K6395329

APT24M120B2 価格設定(USD) [4553個在庫]

  • 1 pcs$10.46595
  • 10 pcs$9.51294
  • 100 pcs$7.69140

品番:
APT24M120B2
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT24M120B2 electronic components. APT24M120B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT24M120B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT24M120B2 製品の属性

品番 : APT24M120B2
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 630 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8370pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1040W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

あなたも興味があるかもしれません
  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.

  • SIHA120N60E-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN.

  • SIHG120N60E-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET E SERIES 600V TO247AC.

  • IRFP244PBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC.