T2N7002AK,LM 価格設定（USD） [3667506個在庫]
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- 品番:
- T2N7002AK,LM
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 0.2A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK,LM electronic components. T2N7002AK,LM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T2N7002AK,LM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
T2N7002AK,LM 製品の属性
品番 :
T2N7002AK,LM
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 60V 0.2A
シリーズ :
U-MOSVII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.9 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.35nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
17pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
320mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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